一、美股盤前：三大期指齊漲

12月16日美股盤前，三大期指集體紛紛上漲。截止目前，道指期貨漲0.64%，標普500指數期貨漲0.74%，納指期貨漲0.78%。

原油今日開盤繼續上漲，截至目前，WTI原油上漲0.30%，至71.08美元/桶。

債券市場方面，10年期美債收益率從周三的1.460%降至1.457% 幾乎沒有因美聯儲收緊貨幣政策而發生變動。

二、美聯儲官宣加快Taper

美東時間12月15日周三，美聯儲會后宣布，聯儲貨幣政策委員會FOMC的委員一致決定，保持0到0.25%的政策利率聯邦基金利率目標區間不變，符合市場預期。相比11月初的上次會議，本周會后決議聲明的最大變動來自有關購債的前瞻指引，其表述為：

“鑒于通脹發展變化及勞動力市場進一步好轉，(FOMC)委員會決定，每月減少購買200億美元的美國國債和100億美元的機構住房抵押貸款支持證券(MBS)。從(明年)1月起，委員會將每月至少增持400億美元的美國國債和至少200億美元的機構MBS。委員會判定，可能每月都適合這樣減少凈購買資產，但若經濟前景的變化有保障，就準備調整購買速度。”

以上指引意味著，從明年起，美聯儲的月度減少購債規模就比今年末擴大了一倍，增至合計300億美元。11月的美聯儲會后宣布，從當月起，新冠疫情爆發后加碼QE以來首次減少一個月內購買美債的規模，認為可能適合每個月都少購債合計150億美元，但也指出，若經濟前景的變化有保障，就準備調整速度。

在評價經濟時，本次會后聲明和上次會議相比最大的變化在于，刪掉了通脹目前高企主要是“暫時性(transitory)因素”的體現這句話，將上次決議聲明中的“疫情相關的供需失衡和經濟復工已經助長一些行業的價格大漲” 改稱為：

“疫情相關的供需失衡和經濟復工已經繼續助長通脹處于高水平。”

面對市場關注的加息前景，鮑威爾在隨后的新聞發布會上表示，在taper結束之前，美聯儲不會開啟加息進程，同時其尚未針對完成Taper與開始加息的時間間隔做決定可能會在美國經濟實現充分就業之前就加息。

是的，我們不會在完成Taper之前就開始加息。FOMC利率預期并不意味著美聯儲有一個加息計劃。

三、SEC重拳監管!馬斯克等減持被盯上

在馬斯克等美國公司高管們大舉拋售股票之際，美國證券交易委員會(SEC)正在考慮制定更嚴格的規則，限制他們的相關買賣交易。此外，SEC瞄準規模龐大的美國貨幣市場基金，尋求對其再定價，以限制資金在危機時期出逃、導致市場崩潰。

在現有的交易規則下，公司高管們和公司自身，通過提前宣布他們的交易計劃(何時、怎么樣交易)，從而免受內幕交易的指控。不過SEC主席Gary Gensler周三表示，他認為這還遠遠不夠。

Gensler希望SEC考慮設置120天的冷靜期，適用于內部人士任何新的或變更的投資組合;設置30天的冷靜期，適用于公司自身的相應交易。

此外，Gensler還計劃禁止重疊計劃，并將單一交易計劃限制為每12個月一次。目前，由于能夠同時宣布多個投資組合管理計劃，高管們可以從中挑選自己認為最合適的計劃(交易)。

同日，SEC尋求對部分貨幣市場共同基金提出新要求，以減少投資者在金融市場崩潰期逃離這些工具，給市場帶來巨大動蕩。

四、福特汽車CEO誓言先超通用再超特斯拉

美東時間周三，福特汽車公司首席執行官Jim Farley表示，他有雄心壯志最終在美國的電動汽車銷量中超越特斯拉公司，但首先希望超越通用汽車公司。

Farley說：“在擴大生產規模方面，我們是一家非常潦倒的公司。我們正處于中間階段，很難預估它的結果，但我們致力于在24個月內達到約60萬輛的年生產量。”

從特斯拉手中奪取領先地位是一項艱巨的任務，因為特斯拉目前主導著美國的電動車市場，預計今年將控制三分之二的銷量。今年，福特可能會排在第四位，落后于大眾和通用公司。

要實現這一目標，福特公司計劃將包括密歇根州迪爾伯恩工廠的產能再提高一倍，以建造16萬輛電動福特F-150閃電皮卡，其預訂總數已超過20萬輛。還需提高其位于墨西哥的電動野馬Mach-E工廠的產能，并推遲了其電池驅動的探險家SUV的推出，以專注于其熱銷車型的產量。

目前，福特在美國電動汽車市場的份額為10%，較去年的5.4%有了顯著增長。今年11月份，該公司的電動汽車業務增長了153%。

美股開盤前，福特汽車股價小幅上漲。

五、IBM和三星發布芯片新架構：讓手機待機一周、性能提升兩倍

美東時間12月15日，在加州舊金山舉辦的第 67 屆國際電子器件會議(IEDM 2021)上，IBM 透露它和三星的合作在半導體設計上取得了“突破”，提出了一種全新芯片制造工藝 VTFET。

VTFET，即垂直傳輸場效應晶體管，旨在取代當前用于當今一些最先進芯片的 FinFET (鰭式場效應晶體管)技術，并能夠讓芯片上的晶體管分布更加密集。這樣的布局將讓電流在晶體管堆疊中上下流動，而在目前大多數芯片上使用的設計中，電流是水平流動的。

相比 FinFET，VTFET能讓晶體管使用更大的電流，同時減少了能源浪費，可以有兩倍性能提升，或者減少85%能耗。

IBM研究院混合云和系統副總裁Mukesh Khare博士說道：“VTFET制造工藝是關于挑戰傳統，并重新思考我們如何繼續推進社會，提供改善生活、商業和減少環境影響的新創新。”

雖然我們無從知曉 VTFET 設計工藝何時能夠制成芯片為我們所用，但是IBM和三星已經提出了一些大膽的想法：

手機充一次電可以用一周;

數據加密等能源密集型流程需要的能源會大大減少，碳足跡也會更小;

用于更強大的物聯網設備，使它們能夠在更多樣化的環境中運行，如海洋浮標、自動駕駛汽車和航天器。

美股開盤前，IBM股價小幅上漲。

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