半導(dǎo)體cvd設(shè)備是什么?

半導(dǎo)體cvd設(shè)備是指利用物理過程實(shí)現(xiàn)物質(zhì)轉(zhuǎn)移，將原子或分子由源轉(zhuǎn)移到基材表面上的過程。

它的作用是可以是某些有特殊性能(強(qiáng)度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等)的微粒噴涂在性能較低的母體上，使得母體具有更好的性能! PVD基本方法：真空蒸發(fā)、濺射 、離子鍍(空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應(yīng)離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍)

半導(dǎo)體cvd設(shè)備工作原理?

CVD是一種化學(xué)反應(yīng)過程，其基本原理是將一種或多種氣體(稱為前驅(qū)體)通過加熱使其分解，產(chǎn)生反應(yīng)生成物，并在半導(dǎo)體表面沉積。CVD反應(yīng)涉及許多參數(shù)，包括前驅(qū)體濃度、反應(yīng)溫度、反應(yīng)壓力、反應(yīng)時間等。CVD可以分為熱CVD和等離子體增強(qiáng)CVD(Plasma Enhanced CVD，簡稱PECVD)兩種類型。

熱CVD是最早開發(fā)的CVD技術(shù)，其原理是通過加熱將前驅(qū)體分解，產(chǎn)生反應(yīng)生成物，再在表面沉積。熱CVD可以分為低壓CVD(Low Pressure CVD，簡稱LPCVD)和大氣壓CVD(Atmospheric Pressure CVD，簡稱APCVD)兩種類型。LPCVD常用于生長單晶硅、多晶硅、氮化硅等材料，而APCVD則常用于生長氧化鋁等薄膜。

PECVD則是通過在反應(yīng)室內(nèi)形成等離子體(Plasma)，使前驅(qū)體更容易分解并增加反應(yīng)速率。PECVD通常適用于生長氮化硅、氮化鋁、二氧化硅等材料。

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